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新洁能NCE82H140:汽车电子领域充电控制的新技术应用

发布时间:2025-07-07 品牌:新洁能(NCE) 浏览量:19

随着全球汽车产业向电动化、智能化方向加速发展,汽车电子技术的重要性日益凸显。在这一背景下,新洁能NCE82H140成为汽车电子领域充电控制的新技术应用。

 

 

在汽车电子充电控制中的应用

 

车载充电机(OBC)中的应用

 

NCE82H140芯片在OBC中发挥着核心作用。它作为主控芯片,能够精确控制充电过程,确保充电效率和安全性。通过优化开关时间和导通电阻,NCE82H140可以实现高效的电源转换,减少充电时间,同时降低能耗。此外,该芯片还具备高静电放电性能和良好的抗电流冲击能力,能够有效保护充电系统免受电压波动和电流冲击的损害。

 

电池管理系统(BMS)中的应用

 

在BMS中,NCE82H140芯片用于监测和控制电池的状态。它能够实时监测电池的电压、电流和温度,确保电池在安全范围内运行。通过精确的控制,NCE82H140可以延长电池的使用寿命,提高电池系统的可靠性和安全性。

 

技术参数

 

参数 参数值
型号 NCE82H140
封装 TO-220-3
漏源电压(Vdss) 82V
连续漏极电流(Id) 140A
导通电阻(RDS(on)) 5.2mΩ @10V, 20A
耗散功率(Pd) 220W
阈值电压(Vgs(th)) 4V
栅极电荷量(Qg) 158nC
输入电容(Ciss) 7.9nF @40V
反向传输电容(Crss) 384pF @40V
工作温度范围 -55℃~+175℃

 

新技术助力充电控制

 

NCE82H140芯片采用了多项创新技术,以满足汽车电子领域对充电控制的高要求。

 

 Trench技术

 

NCE82H140采用了先进的Trench技术,这种技术通过在芯片表面刻蚀深沟槽并在沟槽内形成晶体管结构,能够显著提高芯片的耐压能力和导电性能。

 

低导通电阻:NCE82H140的导通电阻极低,典型值为4.3mΩ,最大值为5.2mΩ(@VGS=10V),这使得芯片在大电流工作时的功耗大幅降低。

 

高耐压能力:芯片的漏源电压为82V,能够承受较高的电压冲击。

 

高静电放电(ESD)能力

 

NCE82H140采用了特殊的工艺技术,具备高静电放电能力,能够有效保护芯片免受静电放电的损害。这一特性对于汽车电子等对可靠性要求较高的应用尤为重要。

 

高密度单元设计

 

该芯片采用了高密度单元设计,实现了超低导通电阻,同时在高电流下保持良好的性能。这种设计不仅提高了芯片的效率,还减少了芯片的尺寸和成本。

 

优秀的封装设计

 

良好的散热性能:TO-220封装提供了较大的散热面积,能够有效降低芯片在工作过程中的温度上升,从而延长芯片的使用寿命。

 

高可靠性:这种封装形式具有较高的机械稳定性和环境适应性,能够在恶劣的工作环境下保持芯片的正常运行。

 

完全表征的雪崩电压和电流

 

NCE82H140芯片具有完全表征的雪崩电压和电流,能够在高能量吸收条件下保持良好的稳定性和均匀性。这使得芯片在面对电压尖峰和电流冲击时能够更加稳定地工作,提高了系统的可靠性。

 

低栅极电荷

 

NCE82H140芯片的栅极电荷较低,这使得其在高频开关应用中表现出色。低栅极电荷能够减少开关损耗,提高系统的动态响应能力,适用于硬切换和高频电路。

 

100%测试

 

NCE82H140芯片在生产过程中经过了100%的测试,包括美国测试和△Vds测试。这确保了每一片芯片的性能和质量都符合高标准,进一步提高了产品的可靠性和一致性。

 

宽工作温度范围

 

NCE82H140的工作结温和存储温度范围为-55°C至175°C,使其能够适应各种极端环境条件,特别适合汽车电子等对温度要求较高的应用场景。

 

随着电动汽车市场的不断扩大,对充电控制技术的需求也将持续增长,新洁能将继续优化NCE82H140芯片的性能,开发更高效率、更低功耗的解决方案。总之,NCE82H140凭借其先进的技术和卓越的性能,已经成为汽车电子领域充电控制的重要选择。它不仅提高了充电效率和安全性,还为电动汽车的未来发展提供了坚实的技术支持。