新洁能针对无线充电应用的MOSFET解决方案：覆盖消费级与车规级全场景需求

无线充电技术凭借其便捷、安全、无接触的特点，已从智能手机领域迅速扩展至笔记本电脑、手持电动工具、车载充电乃至eVTOL等多元场景。随着WPC联盟Qi/Qi2及最新Qi2.2标准的普及，无线充电正朝着更高功率、更高效率、更小体积的方向加速演进。在这一技术浪潮中，功率MOSFET作为电能转换与电路控制的核心器件，直接决定了无线充电系统的效率、功率密度与可靠性。南山电子为您介绍新洁能针对无线充电应用的MOSFET解决方案，该方案覆盖消费级与车规级全场景需求。

典型的无线充电发射端系统由DC电源、栅极驱动器（Gate Drivers）、功率MOSFET半桥/全桥逆变器、谐振网络（电容+线圈）、整流桥及输出滤波等核心模块组成。其中，新洁能MOS管、 承担着将直流电逆变为高频交流电的关键任务，其开关速度与导通损耗直接影响系统整体效率。

在该架构中，MOSFET需满足以下严苛要求：

- 低导通电阻（RDS(on)）：降低导通损耗，提升能量传输效率

- 低栅极电荷（Qg）：加快开关速度，降低开关损耗

- 优异的开关特性：适应数百kHz至数MHz的高频工作环境

- 高可靠性与鲁棒性：确保长期稳定运行

新洁能针对无线充电应用推出了系列化MOSFET解决方案，覆盖消费级与车规级全场景需求。

根据应用需求，新洁能推荐VDS=30V~40V的N+N双芯MOSFET，精准匹配无线充电发射端低电压、大电流的工作特性。其产品线涵盖：

| 产品系列 | 电压等级 | 封装形式 | 核心特性 |

| 第三代SGT MOSFET | 30V~40V | PDFN3×3 / PDFN5×6 | 超低导通电阻、低Qg |

| 双芯合封MOSFET | 30V~40V | PDFN5×6双芯 | 高集成度、高功率密度 |

| 车规级SGT MOSFET | 40V | PDFN3×3 | AEC-Q101认证，8mΩ级导通电阻 |

型号推荐

NCE40ND0812S、NCE40ND0812S、NCE40ND25Q、NCEP40ND40AG、NCEB402G、NCEB401G、NCEP40ND60AG、NCEP40ND60G、NCE6802、NCE30ND07BS、NCE30ND07AS、NCE30ND07S、NCE8601B*、NCE30D0808J、NCE30ND09S、NCE30ND35Q、NCEP40ND80G

双芯合封技术：小型化与高功率密度的完美结合

新洁能拥有业界领先的双芯合封技术，将两颗MOSFET集成于单一封装内，大幅缩小无线充电器的设计面积，实现更高的功率密度与更强的充电能力。产品在保持合理功耗的前提下将高能效发挥到极致，全面提升了器件的开关特性与导通特性，有效降低系统总体成本。

第三代SGT平台：性能代际跃升

新洁能第三代屏蔽栅沟槽型MOSFET（SGT MOSFET）平台实现了显著的性能突破：

- N沟道30V第三代SGT平台：Rsp相较上一代降低39%，具有业界最小单位元胞尺寸

- N沟道40V第三代SGT平台：Rsp相较上一代降低26%，代表产品已完成车规认证

以100V SGT产品为例，Gen.3产品相对Gen.1的Rsp降低56%，相对Gen.2降低34%，FOM值同步优化30%，为设计人员提供了更优的系统效率选择。

在车载无线充电领域，新洁能已实现重大突破。基于第三代SGT晶圆开发的40V车规级产品，采用PDFN3×3封装，以导通电阻8mΩ为代表的产品已在车载无线充上实现大批量交付。该系列产品通过AEC-Q101车规级可靠性考核，可在振动、温变等恶劣环境中长期稳定运行。

此外，新洁能PDFN5×6双芯封装产品（以6.5mΩ为代表）也已在车载150W水泵等应用中实现批量交付，充分验证了其在汽车电子领域的可靠性与技术成熟度。