新洁能SJ超结MOSFET和SGT屏蔽栅MOSFET产品为5G电源提供完整功率器件解决方案

5G通信技术的全面商用和基站建设规模的持续扩大，5G电源系统面临着前所未有的挑战。5G基站功耗较4G提升约3倍，而机柜空间却更加紧凑，这对电源模块的功率密度、转换效率和散热能力提出了极高要求。AC/DC电源作为5G基站供电的核心环节，通常采用"PFC+反激/LLC"两级架构，每一级变换都需要高性能功率器件的支撑。新洁能授权代理商南山电子为您介绍新洁能SJ超结MOSFET和SGT屏蔽栅MOSFET产品为5G电源提供完整功率器件解决方案。

新洁能(NCE) MOS管在5G AC/DC电源中的完整应用链路如下：

这一完整的产品组合覆盖了从高压输入到低压输出的全功率链路，实现了5G电源系统的高效能量转换。

新洁能5G电源MOSFET产品矩阵

新洁能在国内率先构建了IGBT、屏蔽栅MOSFET（SGT MOSFET）、超结MOSFET（SJ MOSFET）、沟槽型MOSFET（Trench MOSFET）四大产品工艺平台，产品型号近4000款，电压覆盖12V~1700V全系列。 针对5G电源的AC/DC变换链路，新洁能提供以下核心产品组合：

PFC级：SJ-III & SJ-IV 超结MOSFET

在PFC（功率因数校正）环节，输入交流电经整流后需要升压至400V左右的直流母线电压。这一环节对功率器件的核心要求是：高耐压、低导通电阻、优异的体二极管反向恢复特性。

新洁能推荐的 SJ-III MOSFET & SJ-IV MOSFET 系列产品：

- 耐压等级：V_DS = 650V~700V，充分满足高压母线应用需求

- 导通电阻：R_on@10V(max) < 540mΩ，有效降低导通损耗

- 技术优势：采用先进的超结（Super Junction）结构，通过垂直P/N柱电荷补偿技术，突破了传统硅MOSFET"击穿电压—导通电阻"的权衡限制，在保持高耐压的同时实现了极低的特征导通电阻

超结MOSFET的应用使得PFC级在高压硬开关条件下仍能保持高效率，同时优化的体二极管反向恢复特性（低Qrr）有效降低了开关损耗和EMI干扰，提升了整机可靠性。

部分推荐型号

反激/LLC初级侧：SJ-III & SJ-IV 超结MOSFET

在反激（Flyback）或LLC谐振变换器的初级侧，功率器件将400V直流母线转换为高频交流电。这一环节同样工作在高压侧，对器件的开关速度和损耗控制要求极高。

新洁能为该环节推荐的 SJ-III MOSFET & SJ-IV MOSFET 系列产品：

- 耐压等级：V_DS = 650V~700V

- 导通电阻：R_on@10V(max) < 900mΩ

- 适配场景：针对反激拓扑和软开关LLC拓扑进行了优化，低栅极电荷（Qg）设计使其在高频工作条件下仍能保持较低的开关损耗

新洁能的SJ MOSFET产品已长期大批量应用于服务器和数据中心行业，其可靠性和性能得到了市场充分验证。

同步整流级：SGT-II & SGT-III 屏蔽栅MOSFET

在变压器次级侧，同步整流（Synchronous Rectification）是将低压高频交流转换为稳定直流输出的关键环节。5G电源输出电流往往高达数十安培，同步整流管导通损耗占总损耗的比重极大，因此超低导通电阻是该环节器件选型的首要指标。

新洁能推荐的 N-channel SGT-II MOSFET & N-channel SGT-III MOSFET 系列产品：

- 耐压等级：V_DS = 100V~150V，覆盖48V/12V输出母线应用

- 导通电阻：R_on@10V(max) < 10mΩ，将大电流下的导通损耗压至极低水平

- 技术优势：采用先进的屏蔽栅沟槽（SGT）结构，通过优化沟槽栅与屏蔽栅的版图设计，均匀电流路径、降低栅电荷与Miller效应，显著减少导通与开关综合损耗。

SGT MOSFET在同步整流应用中表现尤为突出。以新洁能SGT-III系列旗舰型号为例，部分产品导通电阻低至1.0mΩ级别，单颗器件即可实现过去需要2-3颗并联才能达到的通流能力，大幅简化了布板设计并提升了功率密度。

部分推荐型号

5G通信的高速发展对电源系统提出了更高效率、更高功率密度、更高可靠性的要求。新洁能凭借SJ超结MOSFET和SGT屏蔽栅MOSFET两大核心技术平台，为5G AC/DC电源提供了从PFC、反激/LLC初级到同步整流的完整功率器件解决方案。其产品在导通电阻、开关特性、可靠性等关键指标上已达到业界领先水平，并成功实现了对国际大厂产品的国产化替代。