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新洁能NCE3407AY:高性能P沟道增强型功率MOSFET

发布时间:2025-06-10 品牌:新洁能(NCE) 浏览量:17

在当今电子设备日益复杂和多样化的时代,电源管理成为了工程师们面临的一大挑战。如何在有限的空间内实现高效、可靠的功率转换和控制,成为了众多电子设备制造商追求的目标。新洁能NCE3407AY:高性能P沟道增强型功率MOSFET,以其卓越的性能和广泛的应用场景,为这一挑战提供了一种理想的解决方案。

 

 

NCE3407AY采用了先进的沟槽技术,这种技术使得器件在保持高功率和电流处理能力的同时,能够实现极低的导通电阻。在VGS=-10V时,其导通电阻小于65mΩ;而在VGS=-4.5V时,导通电阻更是低至小于95mΩ。这意味着在高电流应用中,NCE3407AY能够显著降低功率损耗,提高整个电路的效率。这对于那些需要长时间稳定运行、对能效要求极高的设备来说,无疑是一个巨大的优势。

 

这样的电流处理能力,使其在面对各种复杂的工作环境和突发情况时,都能保持稳定可靠的性能。无论是电源管理、PWM应用还是负载开关,NCE3407AY都能轻松应对,满足不同场景下的功率控制需求。

 

NCE3407AY的封装形式为SOT-23-3L,这种紧凑的封装结构不仅节省空间,还便于表面贴装,能够满足现代电子设备对小型化、高密度设计的追求。同时,这种封装形式也有利于良好的散热性能,确保器件在高功率运行时的稳定性。此外,NCE3407AY是一款无铅产品,符合环保要求,这对于那些对环保有严格要求的应用场景来说,是一个不可忽视的重要因素。

 

电气参数

 

漏源电压(VDS) -30V
连续漏极电流(ID) -4.3A
脉冲漏极电流(IDM) -20A
导通电阻(RDS(ON)) 在VGS=-10V时,小于65mΩ;在VGS=-4.5V时,小于95mΩ
栅极阈值电压(VGS(th)) -1.1V至-2.1V
总栅极电荷(Qg) 12.5nC
输入电容(Clss) 650pF
输出电容(Coss) 105pF
反向传输电容(Crss) 65pF

 

在动态性能方面,NCE3407AY同样表现出色。其开通延迟时间仅为8.5ns,开通上升时间为4.5ns;关断延迟时间为26ns,关断下降时间为12.5ns。这些快速的开关特性,使得NCE3407AY在高频PWM应用中能够实现高效的功率转换,减少开关损耗,提高电路效率。这对于那些需要在高频环境下工作的设备来说,无疑是一个巨大的福音。

 

在实际应用中,NCE3407AY可用于多种电源管理场景。例如,在笔记本电脑的电源适配器中,NCE3407AY可以作为开关元件,实现高效的功率转换和控制,提高电源适配器的效率和可靠性。在智能手机的充电电路中,NCE3407AY可以实现快速充电功能,同时保证充电过程的安全性和稳定性。在服务器电源中,NCE3407AY可以作为负载开关,实现服务器电源的高效管理和分配,提高服务器的能效和可靠性。

 

此外,NCE3407AY还可应用于电机驱动领域。在小型电机驱动电路中,NCE3407AY可以实现高效的电机控制,提高电机的运行效率和可靠性。在汽车电子领域,NCE3407AY可用于汽车电子设备的电源管理,实现汽车电子设备的高效、稳定运行,提高汽车电子设备的可靠性和安全性。

 

NCE3407AY的推出,为电子设备制造商提供了一种高性能、高可靠性的功率MOSFET选择。其先进的沟槽技术、低导通电阻、高电流处理能力、紧凑封装以及快速的开关特性,使其在各种应用中都能表现出色。无论是在电源管理、PWM应用还是负载开关等领域,NCE3407AY都能为工程师们提供可靠的解决方案,助力电子设备制造商实现高效、节能、环保的目标。

 

总之,NCE3407AY是一款集多种优势于一身的高性能P沟道增强型功率MOSFET。它不仅能够满足现代电子设备对高效功率管理的需求,还符合环保要求,为电子设备制造商提供了一种理想的解决方案。在未来的电子设备发展中,NCE3407AY必将成为众多工程师的首选器件,为电子设备的高效、稳定运行保驾护航。