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新洁能新品mos：40V Gen.3 SGT MOSFET系列，功率密度与效率全面升级
新洁能MOSFET授权代理商南山电子今天为大家介绍一下新洁能推出的第三代 SGT 产品 ——40V Gen.3 SGT MOSFET 系列，该系列产品采用国际先进屏蔽栅沟槽工艺技术，芯片具有超高集成度，全面提升了器件的开关特性和导通特性。
新洁能 40V Gen.3 SGT MOSFET 系列特征比导通电阻 Rsp 相比上一代产品降低 33%，品质因子 FOM 降低 31%，具备更高的电流密度、功率密度和鲁棒性。此外，该系列产品通过三维沟槽结构创新与低阻晶圆工艺技术升级，提高全温度区间 Ron 稳定性，突破传统导通损耗与散热的极限平衡。以同面积的 MOS 芯片相比，Gen.3 在 150℃结温下 Ron 增量较 Gen.1 减少 16%，在保持超低 Ron 的同时，实现温升效率行业领先，有效解决高温场景下的效率衰减难题，助力系统小型化与长期可靠性，重构中低压功率器件的热管理能力。
产品特点：
- 超低特征导通电阻 Rsp（导通电阻 Ron * 芯片面积 AA）
- 极优品质因子 FOM（导通电阻 Ron * 栅极总电荷 Qg）
- 更小阈值电压 Vth Range，利于并联应用
- 更优温升效率，有效解决高温场景下的效率衰减难题
- 极高功率密度
- 更优抗振荡能力
- 更强鲁棒性
- 更齐全的封装形式
- 更齐全的电阻、电流型号规格
NCE世代产品与最优竞品Rsp性能对比：
NCE世代产品Ron温升性能对比：
为方便客户在不同场景下使用，40V Gen.3 SGT MOSFET系列产品细分为高VTH和低VTH两个细分方向，并提供不同RDS(ON)档位，无论是电机驱动、锂电池保护、同步整流，还是新能源汽车与AI算力等应用，客户都能灵活选型。此外，产品封装也十分丰富，涵盖DFN5×6、DFN5×6-DSC、sTOLL、TOLL等多种常用形式，能够支持更灵活的交期和本地化服务。
应用领域：
- 新能源汽车
- AI 算力
- 通信服务器
- 不间断电源 UPS
- 锂电池保护
- 电动工具
- 无人机
- 适配器
命名规则：
南山电子自2020年起成为新洁能（NCE）的正式授权代理商，代理其MOSFET、IGBT全系列产品，我们致力于为客户提供稳定可靠的现货供应与专业的全方位技术支持。如需获取最新产品信息，欢迎随时通过南山半导体官网的在线客服或拨打客服热线 400-888-5058 与我们联系。
