新洁能(NCE) MOS管

新洁能（无锡新洁能股份有限公司）是一家国内领先的功率半导体设计公司，专注于MOSFET、IGBT等功率器件的研发与生产。新洁能MOS管以其先进的技术、卓越的性能而著称，产品广泛应用于新能源汽车OBC、通信服务器、光伏储能、不间断电源UPS、电机驱动等领域。

目前新洁能MOS管主要产品包括：12V~200V沟槽型功率MOSFET（N沟道和P沟道）、30V~300V屏蔽栅功率MOSFET（N沟道和P沟道）、500V~900V超结功率MOSFET，相关核心技术已获得多项专利授权，四大系列产品均获得江苏省高新技术产品认定。南山电子是新洁能全系列产品授权代理商/经销商，可以快速为你提供小批量MOS管样品和批量现货，最新报价请咨询网站在线客户。

一、产品系列及特点

1. N沟道SJ-IV系列（500-1050V）
   • 技术特点：采用第四代技术超结技术，具有优异的性能，实现了业界先进的超低特征导通电阻（Ron,sp），在相同体积下提供更高的功率密度、更低的功耗与更高的效率。
   • 应用领域：广泛应用于家用电器驱动、计算机电源、UPS（不间断电源）、电动汽车充电等领域。
   • 封装形式：包括TO-220、TO-223、TO-263、TO-251、TO-252、TO-247、DFN8*8等多种封装形式。
2. N沟道SGT-I系列（30-250V）
   • 技术特点：以技术水平和卓越的质量管理保证了出色的产品性能和可靠性，提供了出色的导通电阻（RDS(on)）与品质因子（FOM,RDS(on)×Qg），可实现快速硬开关，大幅度增强了应用效率。
   • 应用领域：广泛应用于开关电源（SMPS）中的同步整流、DC电机控制、太阳能微型逆变器、电信及服务器电源以及UPS等领域。
   • 封装形式：包括TO-220、TO-252、TO-247、TO-263、TO-251、TOLL、DFN56、DFN33、SOP-8等多种封装形式。
3. 高电压VDMOS系列（1500V和1700V）
   • 技术特点：具有耐压余量大、器件结温高、可靠性强等特点，能在低温至-40℃时100%保证耐压大于额定电压，允许的瞬态最大工作结温达175℃，且能通过严苛的可靠性考核。
   • 应用领域：适用于需要高电压、高可靠性的应用场景，如户外或极寒工况下的系统。
   • 产品状态：目前3A产品已量产，其余电流规格产品正在陆续推出。
4. P沟道SGT-I系列（-30V至-100V）
   • 技术特点：独特的栅极负压开启机制，使得P沟道功率MOSFET成为高端开关的理想选择。其导电性能虽弱于N沟道产品，但在降低系统设计复杂度和总成本方面具有优势。
   • 应用领域：广泛应用于电池保护、负载开关、电机控制及低压驱动等应用中。
   • 封装形式：包括TO-220、TO-252、TO-263、DFN5*6、SOP-8等多种封装形式。

二、技术优势

• 超低导通电阻：各系列MOSFET均实现了超低的导通电阻，有助于降低功耗和提高效率。例如新洁能的150V Gen.3 SGT MOSFET系列产品采用全新屏蔽栅沟槽技术，特征导通电阻相对上一代降低43.8%，具备更高的电流密度和功率密度 。 
• 稳健的开关特性：针对快速开关电路进行了优化，提供了更加稳健的开关特性和更好的EMI表现。
• 良好的抗静电能力：增强了系统设计的稳定性和可靠性。
• 丰富的封装形式：为设计人员提供了定制化、灵活多样的选择。
• 优化的二极管反向恢复特性：反向恢复电荷相对上一代降低43%，更利于减小电路应用中的电压、电流尖峰，增强电路系统稳定性 。
• 加强的栅极抗振荡能力：设计优化后，更不易发生米勒振荡，减少电路应用的开发时间和成本 

三、分类：

• 车规级汽车用MOSFET：

新洁能提供质量可靠、品种齐全、性能卓越的车规级功率器件，包含N型MOSFET，P型MOSFET，双通道MOSFET，IGBT，上述车规级功率器件均已通过AEC-Q101认证。其中，车规级功率MOSFET器件电压覆盖范围为-150V至1050V，车规级IGBT器件电压覆盖范围为600V至1200V。基于先进的功率器件设计与晶圆制造技术，稳定可靠的封装技术，优异的质量管控，新洁能致力于为客户提供“零”缺陷的汽车功率器件产品。
新洁能车规级功率器件已经广泛应用在汽车上，从电控单元到域控制器，从蓄电池防反接到电池管理系统，从车舱电机驱动到主驱电控，以及各个汽车零部件中。 30V至120V的N沟道车规级功率MOSFET 产品 具备超低的导通电阻，优异的开关特性，结合先进车规级封装所带来的高可靠性，为汽车电子设计工程师提供了丰富的选择，广泛应用于车身域控，动力电池管理，DC/DC，动力总成，辅助驾驶，车载照明等系统中。-12V至-150V的P沟道车规级功率MOSFET产品具有独特的栅极负压导通机制，当它被用作高边开关时，可以大幅度降低系统的设计复杂度。新洁能提供的P型车规级功率MOSFET器件，以其超低的导通电阻，坚固的可靠性在汽车蓄电池防反接领域得到广泛的应用。500-1050V的N沟道SJ-IV系列车规级功率MOSFET产品以行业领先的导通电阻，极低的栅极电荷，良好的开关特性，优秀的可靠性，是新能源电动汽车车载充电器（OBC）的理想选择。

• 工业级MOSFET:

除了提供12V~1700V各类N沟道，P沟道，N、P型互补式型工业级MOS管外，新洁能还针对光伏逆变器、充电桩、基站电源推出650V和1200V碳化硅功率MOSFET产品，具有电流密度大、击穿电压高、损耗低等特点。同时，该系列产品具有优良的短路能力，为应用中的突发状况提供充足的裕量。广泛应用于新能源汽车、太阳能逆变器、充电桩、服务器电源等领域。另外，带有额外的开尔文引脚的TO-247-4P封装可以绕过控制回路上的源极引线电感，降低SiC MOSFET的寄生效应并进一步降低器件的开关损耗。
通过采用先进的沟槽栅工艺技术和电流通路布局结构，新洁能MOSFET实现大幅度降低电流传导过程中的导通损耗。同时，电流在芯片元胞当中的流通会更加均匀稳定；应对于高频率的开关应用，新洁能为设计师们提供低开关损耗的系列产品（产品名称后加标C），其有效降低了栅极电荷（Qg），尤其是栅极漏极间的电荷（Qgd），从而在快速开关过程中降低开关功率损耗。应对于半桥/全桥、AC/DC电源的同步整流以及其它需要反向续流的应用终端，新洁能的MOSFET着重优化了Body Diode，在提高和加快反向续流能力的同时，降低反向恢复过程中的峰值电流（Irm）和电压（Vrm）。