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长晶科技超高性能FST3.0 IGBT单管为光伏储能等应用注入新动能
在光伏储能等新能源应用需求激增的当下，功率半导体器件的性能升级成为行业关键。长晶科技推出的FST3.0（对标国际Gen7.0） 650V和1200V系列的三款IGBT单管——CGR120N65F3SAD、CGR160N65F3KAD、CGR140N120F3KAD，凭借先进技术与优异性能，为光伏储能等应用注入新动能。
| Part NO. | 封装 | 规格 | VCE(sat) (V) @25℃ | Eon (mJ) @25℃ | Eoff (mJ) @25℃ |
|---|---|---|---|---|---|
| CGR120N65F3SAD | TO-247PLUS | 650V120A | 1.5 | 8.4 | 4.0 |
| CGR160N65F3KAD | TO-247PLUS | 650V160A | 1.65 | 11.2 | 5.4 |
| CGR140N120F3KAD | TO-247PLUS | 1200V140A | 1.6 | 11.8 | 5.5 |
- 650V 系列：CGR120N65F3SAD（120A）与 CGR160N65F3KAD（160A），满足中低电压场景下的功率转换需求，适配中小功率储能逆变器。
- 1200V 系列：CGR140N120F3KAD（140A），针对高压大功率光伏电站等应用，提供稳定的高压功率支持。
三款产品均采用 TO-247PLUS 封装，兼具优异电气性能与散热能力，适应光伏储能系统的复杂工况。
产品特点:
- 载流子密度提升：通过 1.6μm Pitch 微沟槽栅与场终止技术，芯片元胞结构优化，载流子密度显著增加，功率密度大幅提升，在相同芯片面积下实现更高电流输出，经济性与性能双优。
- 损耗优化：通态损耗（Vce (sat)）与开关损耗（Eon、Eoff）全面优化。以 CGR140N120F3KAD 为例，Vce (sat) 仅 1.6V（@25℃），低于竞品（如 I Company Gen7.0 的 1.7V），通态损耗更低；开关损耗方面，Eon=11.8mJ、Eoff=5.5mJ（@25℃），在高效开关过程中减少能量浪费，提升系统效率。
- 鲁棒性保障：在优化损耗的同时，产品通过结构设计与工艺改进，确保高温、高湿度等严苛环境下的稳定运行，满足光伏储能系统长期可靠工作的需求。
以1200V、140A产品为例，参数对比主流竞品参数如下：
应用场景：深度赋能光伏储能生态
- 光伏逆变器：高效转换光伏电能，降低功率损耗，提升发电效率。
- 储能系统：在充放电过程中实现低损耗、高可靠性的功率调节，延长储能设备寿命，优化系统成本。
- 新能源汽车充电设施：为快充设备提供稳定高压功率支持，加速充电效率。
长晶科技FST3.0 IGBT系列的推出，是国内功率半导体技术在光伏储能领域的一次重要突破。通过微沟槽栅与场终止技术的融合，产品在损耗、功率密度与可靠性上实现全面升级，为全球光伏储能市场提供了高性能、高性价比的解决方案。未来，长晶科技将持续深耕技术创新，以更多元化的产品矩阵，赋能新能源、工业控制等多领域发展，引领功率半导体行业的高效能变革。
南山电子是长晶科技原厂授权代理商，欢迎咨询选购长晶科技超高性能FST3.0 IGBT单管，如需产品详情、选型指导或样品申请，请联系网站客服。
