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新洁能NCEP60T12AK--高频开关与同步整流的理想之选
在现代电子设备中，高频开关和同步整流技术的应用日益广泛，对功率MOSFET的性能要求也越来越高。新洁能NCEP60T12AK--高频开关与同步整流的理想之选，凭借其卓越的性能和可靠性，开启高频开关与同步整流的新篇章。
NCEP60T12AK采用先进的Super Trench技术，专为高频开关和同步整流应用设计。该器件通过优化的单元设计，实现了极低的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷（Qg），从而在高频开关应用中表现出色。
| 特性 | 描述 |
|---|---|
| 高耐压 | 漏源电压（VDS）高达60V，能够承受高电压冲击 |
| 大电流 | 连续漏极电流（ID）可达120A，满足高功率应用需求 |
| 低导通电阻 | 在VGS=10V时，RDS(ON) < 4.0mΩ（典型值为3.5mΩ）；在VGS=4.5V时，RDS(ON) < 5.0mΩ（典型值为4.0mΩ） |
| 低栅极电荷 | 总栅极电荷（Qg）低至67nC，显著减少开关损耗 |
| 高工作温度 | 工作结温范围为-55°C至175°C，适应各种恶劣环境 |
| 无铅封装 | 采用环保的无铅封装，符合现代电子设备的环保要求 |
| 100% UIS测试 | 确保每个器件的可靠性 |
NCEP60T12AK的电气特性如下表所示：
| 参数 | 符号 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V, ID=250μA | 60 | - | - | V |
| 零栅极电压漏极电流 | IDSS | VDS=60V, VGS=0V | - | - | 1 | μA |
| 栅极-体漏漏电流 | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 栅极阈值电压 | VGS(th) | VDS=VGS, ID=250μA | 1.0 | 1.7 | 2.4 | V |
| 漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V, ID=60A | - | 3.5 | 4.0 | mΩ |
| 漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=4.5V, ID=60A | - | 4.0 | 5.0 | mΩ |
| 前向跨导 | gFS | VDS=10V, ID=60A | 40 | - | - | S |
NCEP60T12AK的动态特性如下表所示：
| 参数 | 符号 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 输入电容 | Clss | - | - | 4000 | - | pF |
| 输出电容 | Coss | - | - | 680 | - | pF |
| 反向转移电容 | Crss | VDS=30V, VGS=0V, F=1.0MHz | - | 23 | - | pF |
| 开启延迟时间 | td(on) | - | - | 11 | - | nS |
| 开启上升时间 | tr | - | - | 5 | - | nS |
| 关闭延迟时间 | td(off) | - | - | 56 | - | nS |
| 关闭下降时间 | tf | VDD=30V, ID=60A, VGS=10V, RG=4.7Ω | - | 12 | - | nS |
| 总栅极电荷 | Qg | - | - | 67 | - | nC |
| 栅极-源极电荷 | Qgs | - | - | 12 | - | nC |
| 栅极-漏极电荷 | Qgd | VDS=30V, ID=60A, VGS=10V | - | 8.5 | - | nC |
在使用NCEP60T12AK时，需要注意以下几点：
可靠性：该产品不适用于对可靠性要求极高的应用，如生命支持系统、飞机控制系统等。
额定值：确保在使用过程中不超过器件的额定值，包括最大电压、电流和功率。
独立测试：在将器件集成到最终产品中之前，应进行独立测试，以验证其性能和功能。
安全措施：在设计设备时，应采取适当的安全措施，如保护电路和冗余设计，以防止可能的事故。
无锡新洁能致力于提供高质量、高可靠性的功率MOSFET产品。NCEP60T12AK凭借其卓越的性能和可靠性，成为高频开关和同步整流应用的理想选择。选择NCE Power，开启高效、稳定和可靠的电源管理新时代。
