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- 新洁能NCE60P50K：高性能P沟道增强型功率MOSFET
新洁能NCE60P50K：高性能P沟道增强型功率MOSFET
在现代电子设备中，功率MOSFET作为关键的功率开关元件，广泛应用于各种电源管理、电机驱动和功率转换场景。新洁能NCE60P50K ：高性能P沟道增强型功率MOSFET，凭借其卓越的性能和可靠性，成为高电流负载应用的理想选择。
NCE60P50K是一款采用先进沟槽技术设计的P沟道增强型功率MOSFET。该器件通过优化的单元设计，实现了极低的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷，从而在高电流负载应用中表现出色。其主要特点包括：
高耐压：漏源电压（VDS）高达-60V，能够承受高电压冲击。
大电流：连续漏极电流（ID）可达-50A，满足高功率应用需求。
低导通电阻：在VGS=-10V时，RDS(ON) < 28mΩ，显著降低功耗。
高密度单元设计：实现超低RDS(ON)，提高器件效率。
全面的雪崩电压和电流特性：确保在过载和短路情况下具有良好的稳定性。
高能量吸收能力：单脉冲雪崩能量（EAS）高达722mJ，增强器件的鲁棒性。
优异的散热性能：采用TO-252-2L封装，有效提高散热效率。
NCE60P50K适用于多种高电流负载应用，包括但不限于：
负载开关：在电源管理系统中，作为高效的负载开关，实现快速、稳定的电流切换。
电机驱动：在电机控制应用中，提供高效率的功率转换，降低能耗。
电源转换：在DC-DC转换器中，作为功率开关，提高转换效率和可靠性。
电气特性
NCE60P50K的电气特性如下表所示
| 参数 | 符号 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V, ID=-250μA | -60 | - | - | V |
| 零栅极电压漏极电流 | IDSS | VDS=-60V, VGS=0V | - | - | -1 | μA |
| 栅极-体漏漏电流 | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 栅极阈值电压 | VGS(th) | VDS=VGS, ID=-250μA | -2.0 | -2.6 | -3.5 | V |
| 漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=-10V, ID=-20A | - | 23 | 28 | mΩ |
| 前向跨导 | gFS | VDS=-10V, ID=-20A | - | 25 | - | S |
NCE60P50K的动态特性如下表所示
| 参数 | 符号 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 输入电容 | Clss | - | 6460 | - | - | pF |
| 输出电容 | Coss | - | 719 | - | - | pF |
| 反向转移电容 | Crss | VDS=-25V, VGS=0V, F=1.0MHz | - | 535 | - | pF |
| 开启延迟时间 | td(on) | - | 15 | - | - | nS |
| 开启上升时间 | tr | - | 17 | - | - | nS |
| 关闭延迟时间 | td(off) | - | 40 | - | - | nS |
| 关闭下降时间 | tf | VDD=-30V, RL=1.5Ω, VGS=-10V, RG=3Ω | - | 45 | - | nS |
| 总栅极电荷 | Qg | - | 75 | - | - | nC |
| 栅极-源极电荷 | Qgs | - | 16 | - | - | nC |
| 栅极-漏极电荷 | Qgd | VDS=-30V, ID=-20A, VGS=-10V | - | 19 | - | nC |
在使用NCE60P50K时，需要注意以下几点
可靠性：该产品不适用于对可靠性要求极高的应用，如生命支持系统、飞机控制系统等。
额定值：确保在使用过程中不超过器件的额定值，包括最大电压、电流和功率。
独立测试：在将器件集成到最终产品中之前，应进行独立测试，以验证其性能和功能。
安全措施：在设计设备时，应采取适当的安全措施，如保护电路和冗余设计，以防止可能的事故。
新洁能致力于提供高质量、高可靠性的功率MOSFET产品。NCE60P50K凭借其卓越的性能和可靠性，成为高电流负载应用的理想选择。
