电子元器件整合供应商

解决方案

作为致力成为最具价值的电子元器件整合供应商,南京南山拥有能为客户提供全套电子元器件的强大整合能力。公司拥有专门技术团队,建有电子元器件例行试验室,能为客户提供全方位的技术咨询、器件选型、样品提供、器件检测等增值服务。

上海贝岭BLG80T65FDH7:650V 80A IGBT单管在光伏逆变器上的应用

发布时间:2025-08-08 品牌:上海贝岭(BELLING) 浏览量:20

化石能源带来的污染问题日益凸显,清洁可再生的太阳能成为重要替代能源,其中光伏发电应用最为广泛。作为光伏发电系统的核心,光伏逆变器负责将太阳能电池板产生的直流电转换为可并网的交流电,其性能直接影响发电效率和系统可靠性。IGBT(绝缘栅双极晶体管)凭借其优异的综合性能,是光伏逆变器的关键功率器件。上海贝岭积极研发新一代IGBT技术,推出650V/80A IGBT单管BLG80T65FDH7,授权代理商南山电子可提供该型号样品及详细资料,助力客户实现光伏逆变器的高效率、高可靠性设计。


上海贝岭IGBT单管BLG80T65FDH7,额定电流为80A,耐压650V。该产品对目前主流的户用光伏逆变器拓扑Heric等都有很好的匹配性,同时也适用于三相NPC1和NPC2(横管)的应用场景,能够满足不同光伏逆变器设计的需求。


产品特点:

BLG80T65FDH7采用新一代微沟槽多层场截止IGBT技术,具备以下技术特性:

  • 导通优化:微沟槽结构增加载流子注入效率,优化导通压降(Vce(sat)),减小导通损耗。
  • 开关加速:场截止层加速关断时的载流子抽取,降低开关损耗,支持更高工作频率。
  • 高温稳定:多层场截止结构提高高温稳定性。
  • 优异反并联:内部采用超快速软恢复二极管进行反并联。

性能特点:

  • 优化开通损耗和关断损耗,开关频率高。
  • 低导通压降Vce(sat),减小器件的导通损耗。
  • Vce(sat)正温度系数,易于并联使用。
  • 高BVces耐压能力。
  • 低VF和快软恢复二极管(合封)。
  • 通过HV-H3TRB加严可靠性验证,保证极端运行环境下使用寿命。
  • 符合175℃最高结温的工业级和车规级考核标准。

性能亮点:

1.效率优势——低饱和压降Vce(sat)

在光伏应用场景中,IGBT的导通损耗在总损耗中占比很大,而影响导通损耗的主要参数是VCE(sat)。上海贝岭BLG80T65FDH7在常温25℃和高温175℃时的导通压降均达到了国际大厂的水平,且相比竞品略低。此外,随着结温的升高,VCE(sat)呈现正温度系数,这有助于解决并联应用中的均流和热平衡问题,进一步提升了产品在光伏逆变器中的应用效率。

2.动态性能提升——低开关损耗

在光伏逆变应用中,单管IGBT通常设计在20kHz左右的频率下工作,而且存在高频化的发展趋势,因此降低IGBT的开关损耗显得尤为重要。上海贝岭BLG80T65FDH7在降低导通压降的同时,也对开关损耗进行了优化。数据显示,BLG80T65FDH7的开启损耗与竞品相差不大,关断损耗比竞品略低,总开关损耗略小于竞品,性能达到了国际大厂S5系列的水平。

3.IGBT合封二极管——较低的VF和Qrr

BLG80T65FDH7合封了低VF的二极管,有利于降低二极管续流过程中的导通损耗。相关数据表明,贝岭IGBT合封二极管的VF与竞品相差不大。在相同的测试条件下,BLG80T65FDH7合封二极管的Qrr比竞品更小,在高频应用中损耗更低,具备更明显的优势。

4.温升表现良好——板级温升测试

基于出色的器件设计,上海贝岭BLG80T65FDH7的各项参数与国际大厂的功率器件接近,部分参数更具优势,为光伏应用通过系统测试提供了有力保障。在常温环境下,将上海贝岭BLG80T65FDH7与I公司产品在10kW光伏逆变平台上进行测试,两者的壳温基本一致,产品性能能够满足客户的使用需求。


上海贝岭650V/80A IGBT单管BLG80T65FDH7凭借先进的技术、优良的性能和可靠的品质,在光伏逆变器应用中展现出显著的优势。无论是在效率、动态性能方面,还是在合封二极管特性、温升表现上,都达到了较高水准,能够很好地满足光伏逆变器对高效、高频、高可靠性的要求。该产品的推出,不仅为客户在光伏逆变器设计中提供了优质的选择,也彰显了上海贝岭在IGBT技术研发领域的实力,为推动光伏产业的发展贡献了积极力量。


南山电子是上海贝岭公司授权代理商,欢迎咨询选购上海贝岭IGBT单管BLG80T65FDH7,如需产品详细的规格书或最新报价,请咨询南山半导体官方网站在线客服。