新洁能(NCE) N沟道MOSFET

新洁能提供质量可靠、品种齐全、性能卓越的车规级功率器件，包含N型MOSFET，P型MOSFET，双通道MOSFET，IGBT，上述车规级功率器件均已通过AEC-Q101认证。其中，车规级功率MOSFET器件电压覆盖范围为-150V至1050V，车规级IGBT器件电压覆盖范围为600V至1200V。基于先进的功率器件设计与晶圆制造技术，稳定可靠的封装技术，优异的质量管控，我们致力于为客户提供“零”缺陷的汽车功率器件产品。 新洁能车规级功率器件已经广泛应用在汽车上，从电控单元到域控制器，从蓄电池防反接到电池管理系统，从车舱电机驱动到主驱电控，以及各个汽车零部件中，我们为汽车电子设计工程师提供了全面的产品选择。 30V至120V的N沟道功率MOSFET 产品，具备超低的导通电阻，优异的开关特性，结合先进车规级封装所带来的高可靠性，为汽车电子设计工程师提供了丰富的选择。广泛应用于车身域控，动力电池管理，DC/DC，动力总成，辅助驾驶，车载照明等系统中。

12-300V N MOSFET

• 12-200V N-Channel Trench MOSFET：
  新洁能提供的N型12V~200V沟槽型（Trench）功率MOSFET产品，采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等并持续推进产品迭代，以丰富的产品系列、业内先进的参数性能与优异的可靠性成为行业标杆。产品广泛应用于电机驱动、电池管理系统、负载开关、通信、消费电子等各个领域。同时提供丰富的封装外形供客户选择，包括DFN1*1、DFN2*2、DFN3.3*3.3、DFN5*6、SOT-23、SOT-523、SOT-89、SOT-223、SOP-8、TO-251、TO-252、TO-220、TO-263、TOLL、TO-247等。
• 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET：
  新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品，以技术水平和卓越的质量管理保证了出色的产品性能和可靠性，在降低系统设计难度的同时，提供了性价比。广泛应用于开关电源（SMPS）中的同步整流、DC电机控制、太阳能微型逆变器、电信及服务器电源以及不间断电源（UPS）等领域。针对电源设计领域中，设计人员面临提高系统效率与功率密度，同时降低系统成本的双重挑战，新洁能N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品凭借出色的导通电阻（RDS(on)）与品质因子（FOM，RDS(on)×Qg）可实现快速硬开关，大幅度增强了应用效率，成为该挑战的完美解决方案。N沟道SGT-I系列功率MOSFET封装范围包括TO-220、TO-252、TO-247、TO-263、TO-251、TOLL、DFN5*6、DFN3*3、SOP-8等多种封装，为设计人员定制化提供更加丰富灵活的选择。
• 30-120V N-Channel SGT-II MOSFET：
  新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超低的导通电阻（RDS(on)）与超低栅极电荷（Qg）的特点，结合先进轻巧紧凑的封装进一步提高了系统的功率密度与能量转换效率。同时，面向性能与鲁棒性要求极为苛刻的低频应用，新洁能N沟道SGT-II系列产品进一步优化了大电流关断能力与静电防护能力，可满足包括直流电机驱动、锂电池保护、AC/DC同步整流等广泛应用。此外，相比于新洁能上一代SGT-I系列产品，SGT-II系列产品特征导通电阻Ron,sp降低20%，FOM值进降低20%，为设计人员进一步提高系统效率提供了更优的选择。N沟道SGT-II系列功率MOSFET封装范围包括TO-220、TO-252、TO-247、TO-263、TO-251、TOLL、DFN5*6、DFN3*3、SOP-8等多种封装，为设计人员定制化提供更加丰富灵活的选择。
• 30-250V N-Channel SGT-III MOSFET：
  新洁能正在陆续推出第三代屏蔽栅沟槽型功率MOSFET，相比于上一代产品，第三代产品特征导通电阻降低20%以上，ESD能力、大电流关断能力、短路能力提升10%以上，同时具有更优的EMI特性，可以满足客户更高能效、更高可靠性的需求，产品性能及竞争力进一步提升。配合先进的封装技术，SuperTrench技术致力于提升MOSFET器件在电能转换过程中的系统效率和功率密度，同时确保在苛刻环境下开关过程中的抗冲击耐量，实现快速、平稳、高效的电源管理和电机控制。

500-1050V N MOSFET

• 500-800V N-Channel SJ-III MOSFET：
  新洁能提供击穿电压等级范围为500V至800V的N沟道SJ-III系列功率MOSFET产品，以良好的导通电阻，极低的栅极电荷，出色的开关速度，以及极具竞争力的性价比，成为开关电源应用中的理想选择。同时，新洁能SJ-III系列产品提供雪崩耐量（EAS）以及静电释放能力，提高了系统可靠性。此外，该系列产品采用新洁能自主创新技术，优化了产品开关特性，使其在系统应用时具有更好的EMI表现。广泛应用在家用电器驱动、计算机电源、UPS、电动汽车充电等领域。N沟道500-800V系列SJ-III MOSFET产品封装范围包括TO-220、TO-223、TO-263、TO-251、TO-252、TO-247等。
• 600-650V N-Channel SJ-III TF MOSFET：
  新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道SJ-III TF系列功率MOSFET产品。为了满足全桥、半桥、LLC谐振开关应用中效率及EMI需求，基于新洁能在SJ-III技术基础上，在保证良好的导通电阻、极低栅电荷以及出色的开关速度前提下，增强了超结产品的体二极管反向恢复特性，综合优化了超结产品由于体二极管反向恢复带来的损耗以及可靠性问题。N沟道500-800V系列SJ-III MOSFET TF产品封装范围包括TO-220、TO-263、TO-252、TO-247等。
• 500-1050V N-Channel SJ-IV MOSFET：
  新洁能提供击穿电压等级范围为500V至1050V的N沟道SJ-IV 系列功率MOSFET产品。采用第四代技术超结技术的产品，具有优异的性能，实现了业界先进的超低特征导通电阻（Ron,sp），在相同体积下提供更高的功率密度、更低的功耗与更高的效率。此外，针对快速开关电路，新洁能第四代超结特别优化了开关性能，提供了更加稳健的开关特性，更好的EMI表现，为系统设计提供更大设计裕量。同时该系列产品还提供良好的抗静电能力，为设计人员提供更加可靠的系统稳定性。广泛应用于家用电器驱动、计算机电源、UPS、电动汽车充电等领域。N沟道500-1050V系列SJ-IV MOSFET产品封装范围包括TO-220、TO-223、TO-263、TO-251、TO-252、TO-247、DFN8*8等。
• 500-650V N-Channel SJ-IV NF MOSFET：
  新洁能提供击穿电压等级范围为500V至650V的N沟道SJ-IV NF系列功率MOSFET产品。基于新洁能SJ-IV技术的基础上，在保证业界先进的超低特征导通电阻的前提下，特别优化了体二极管特性，减小反向恢复电荷（Qrr）和反向恢复时间（Trr），大幅度提升了产品的反向恢复速度与反向恢复损耗，特别适用于LLC等桥式电路中。相比于新洁能SJ-IV产品，可以为设计人员提供更低的系统总损耗，更高的系统可靠性，以及更大的EMC裕量。N沟道500-650V系列SJ-IV MOSFET产品封装范围包括TO-220、TO-263、TO-251、TO-252、TO-247、DFN8*8等。

1500-1700V N MOSFET

新洁能推出了1500V和1700V 系列功率VDMOS，具有如下特点：
1） 耐压余量大：保证器件在低温至-40℃时，仍能100%保证耐压大于额定电压的要求；为器件工作在户外或极寒工况下，提供最大保障；
2） 器件结温高：允许的瞬态最大工作结温175℃，为系统瞬态过载提供更大的安全余量；
3） 可靠性强：产品不仅可以通过常规的可靠性考核项目，还可以满足最大结温下的100%偏压HTRB\HTGB考核和更严苛的HV-H3TRB考核，保障器件在高温、高湿等恶劣工况下的稳定工作。