新洁能(NCE) P沟道MOSFET

新洁能提供质量可靠、品种齐全、性能卓越的车规级功率器件，包含N型MOSFET，P型MOSFET，双通道MOSFET，IGBT，上述车规级功率器件均已通过AEC-Q101认证。其中，车规级功率MOSFET器件电压覆盖范围为-150V至1050V，车规级IGBT器件电压覆盖范围为600V至1200V。基于先进的功率器件设计与晶圆制造技术，稳定可靠的封装技术，优异的质量管控，我们致力于为客户提供“零”缺陷的汽车功率器件产品。 新洁能车规级功率器件已经广泛应用在汽车上，从电控单元到域控制器，从蓄电池防反接到电池管理系统，从车舱电机驱动到主驱电控，以及各个汽车零部件中，我们为汽车电子设计工程师提供了全面的产品选择。新洁能提供击穿电压等级-12V至-150V的P沟道车规级功率MOSFET产品。P沟道增强型功率MOSFET由于其独特的栅极负压导通机制，当它被用作高边开关时，可以大幅度降低系统的设计复杂度。我们提供的P型车规级功率MOSFET器件，以其超低的导通电阻，坚固的可靠性在汽车蓄电池防反接领域得到广泛的应用。

12-150V P-Channel Trench MOSFET：

新洁能提供的P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFET产品，采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等并持续推进产品迭代，以丰富的产品系列、业内先进的参数性能与优异的可靠性成为行业标杆。产品广泛应用于电机驱动、电池管理系统、负载开关、通信、消费电子等各个领域。同时提供丰富的封装外形供客户选择，包括DFN1*1、DFN2*2、DFN3.3*3.3、DFN5*6、SOT-23、SOT-523、SOT-89、SOT-223、SOP-8、TO-251、TO-252、TO-220、TO-263、TOLL、TO-247等。

30-100V P-Channel SGT-I MOSFET：

新洁能提供击穿电压等级范围为-30V至-100V的P沟道SGT-I系列功率MOSFET产品。P沟道增强型功率MOSFET在降低系统设计复杂度上拥有天然的优势，独特的栅极负压开启机制，使得P沟道功率MOSFET成为高端开关的理想选择。P沟道功率MOSFET产品的选用可以简化栅极驱动，往往可以降低系统的总成本，为设计人员提供了一种新的选择。此外，P沟道功率MOSFET产品利用空穴作为载流子进行导电，其迁移率低于N沟道功率MOSFET中的载流子电子，同等情况下，P沟道功率MOSFET产品导电性能弱于N沟道功率MOSFET产品。 新洁能基于SGT-I技术的-30~-100VP沟道功率产品提供超低的导通电阻（RDS(on)），为设计人员在简化系统复杂度、降低系统总成本的前提下，进一步提高系统效率与性能。广泛应用于电池保护、负载开关、电机控制及低压驱动等应用中。P沟道SGT-I系列功率MOSFET封装范围包括TO-220、TO-252、TO-263、DFN5*6、SOP-8等多种封装形式，为设计人员优化系统提供解决方案。