长晶(JSCJ) P沟道MOSFET

P沟道MOSFET，顾名思义，其导电沟道主要由空穴形式的电荷载流子组成。在P沟道MOSFET中，源极和漏极通常采用P型材料重掺杂，而衬底则是N型材料。当给栅极施加一个负电压时，栅极下方的P型半导体区域中的空穴会被吸引到靠近栅极的区域，形成一个导电通道，使得漏极和源极之间形成导电通路。

工作原理：

P沟道MOSFET的工作原理基于电场效应。当栅极电压为负且低于某一阈值电压时，会在栅极下方的P型半导体层中形成空穴沟道，使得漏极和源极之间形成导电通路。此时，如果给源极施加一个正电压，空穴就会从源极通过这个导电通道流向漏极，形成电流。随着栅极电压的降低（即负电压的绝对值增大），沟道中的空穴浓度增加，漏极电流也随之增大。反之，当栅极电压与源极电压差值小到一定程度时，导电通道会逐渐变窄直至消失，此时P沟道MOSFET处于截止状态。

特性：

P沟道MOSFET的开关速度相对较慢且导通电阻较高，但其在高边开关（High-SideSwitch）应用中具有独特优势。由于P沟道MOSFET需要从栅极到源极的负电压才能导通，因此它可以在高电位侧控制电路的通断而无需额外的电平转换电路。此外，P沟道MOSFET的阈值电压为负值且导通电阻相对较高。

应用：

P沟道MOSFET在汽车电子、工业控制等领域中得到了广泛应用。例如，在汽车电子系统中P沟道MOSFET常被用于控制发动机、变速器和其他关键部件的电源供应。此外在需要高电位侧控制的应用场景中P沟道MOSFET也发挥着重要作用。