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NCE N+P沟道MOSFET

新洁能(NCE) N+P沟道MOSFET

名 称:新洁能(NCE) N+P沟道MOSFET
品 牌:新洁能(NCE)
分 类: MOS管 > N+P沟道MOSFET
简 述:

新洁能提供的12V~100V Complementary(N、P型互补式)MOSFET产品,是通过将P型与N型Trench功率MOSFET产品分别以高、低边互补配置的方式集成至单个封装中,极大程度上优化了产品封装结构。

Complementary MOSFET:

新洁能提供的12V~100VComplementary(N、P型互补式)MOSFET产品,是通过将P型与N型Trench功率MOSFET产品分别以高、低边互补配置的方式集成至单个封装中,极大程度上优化了产品封装结构。该类ComplementaryMOSFET产品不仅能够提高设计人员的设计效率,同时也优化的系统结构。基于紧凑型的封装形式,可以为设计人员提供成本优化且更加可靠的解决方案。该类产品广泛应用于DC-DC转换、电机控制以及电池管理系统等。ComplementaryMOSFET产品封装外形包括DFN2*2、DFN3.3*3.3、DFN5*6、SOP-8、SOT-23-6L、TO-252-4L等。


Dual N and P-Channel MOSFET:

新洁能提供的P型20V~60V和N型18V~100V的Dual(双芯)MOSFET产品,通过将两颗P型或者N型的功率MOSFET产品以并联合封的方式集成到单个封装中,极大程度上优化了产品结构,为设计人员简化电路,提高系统功率密度提供新的选项。该双芯功率MOSFET产品主要采用Trench以及SGT技术,设计人员可以根据实际应用需求选择。该类产品广泛应用于电池管理、电机驱动以及负载开关等。DualNorDualPMOSFET产品封装外形包括DFN2*2、DFN3.3*3.3、DFN5*6、SOP-8、SOT-23-6L、TO-252-4L等。


Half-bridge N-Channel MOSFET:

新洁能提供N30V的半桥功率MOSFET产品,是通过将两个N型功率MOSEFT产品以高、低边的串联的方式集成至单个封装中。半桥产品可以简化系统复杂度,减少系统寄生参数,从而优化系统设计效率以及可靠性。该双芯功率MOSFET产品主要采用Trench以及SGT技术,设计人员可以根据实际应用需求选择。该类产品广泛应用于于半桥驱动等。半桥产品封装外形包括DFN3*3、DFN5*6等。