力智(uPI-Semi) MOS管

力智MOS管分类

40V 低耐压MOSFET：
漏源电压（VDS） 20V - 30V
栅源电压（VGS）：±8V - ±25V
导通电阻（RDS(on)）：1.1mΩ - 5207mΩ
漏极电流（ID） ：18A - 189A
功率（PD）：0.33W - 2.42W
封装类型：SOT23、TO252、PRPAK33、PRPAK56、SOP8、DFN22、DFN23、DFN33、DFN56、WLCSP-6、WLCSP-10E等

40V~200V中耐压MOSFET：
漏源电压（VDS）：40V - 200V
栅源电压（VGS）：±20V - ±30V
导通电阻（RDS(on)）：1mΩ - 25000mΩ
漏极电流（ID）：3.6A - 283A
功率（PD）：1W - 3.6W
封装类型：TO252、SOT23、SOP8、PRPAK33、PRPAK56、TO263等

关于力智电子

力智成立于 2005 年，为国内少数可同时提供电源管理 IC（PMIC）与功率半导体元件（MOSFET）产品线的 IC 设计公司。 uPI专注于设计和开发大电流、高功率和高密度的电源解决方案。 产品系列包括电源管理 IC、功率级、转换器、电池保护 IC、MOSFET 和 GaN 解决方案。利用在半导体设计和系统应用方面的专业知识，力智已经在计算机、显卡、高性能计算、游戏和移动性等各种市场上成为混合和高功率密度半导体产品的领先供应商，并为汽车和工业应用提供专有解决方案。

力智的目标是为客户提供完整的电源管理解决方案，这些解决方案具有卓越的质量、性能、服务和成本效益。在模拟和混合模式电源以及分立器件设计方面拥有超过20年的经验，提供高性能的设计服务，具有全面的技术覆盖和工艺开发能力。此外，力智还获得了各种国际品牌公司和合作伙伴的PMIC和MOSFET产品认证。力智与晶圆厂和装配与测试伙伴的战略伙伴关系使其能够在晶圆加工和深度封装技术方面表现出色。

2024年，国巨公司拟全数认购力智电子私募普通股，此次对力智的策略投资，透过彼此共同开发及全球销售通路的整合，将进一步扩大双方在未来电子零组件高成长市场的份额。