1N4148开关二极管选型参数

1N4148开关二极管是一种利用二极管导通与截止特性达到关断与导通电路的目的。开关二极管是专门用于高速开关。与一般的二极管相比，开关二极管在导通与截止的速率上远远高于一般的整流二极管。普通的二极管在低频率的电路中能保持正常的导通与截止的特性，但是在高频应用中，由于电路中的频率很高，在二极管从导通状态还没有完全恢复成截止状态的时候，二极管又被再次导通了。在此高频情况下，普通的二极管就一直处于导通状态，不能起到开关的作用。1N4148是开关二极管的常用型号，其有多种封装形式。这里介绍的1N4148开关二极管是DO-35玻璃封装。
 
 
1N4148的选型参数
1N4148开关二极管应用广泛，各个生产厂家出品的1N4148二极管的参数也略有不同，这里我们挑选了几个半导体生产厂家，对他们的生产的1N4148开关二极管的参数进行横向比较。
 
厂家：VISHAY
产品编码：1N4148-TAP or 1N4148-TR
 
厂家：NXP
产品编码：1N4148PH or 4148PH
 
厂家：HY
产品编码：1N4148
 
厂家：DIOTEC ELECTRONICS CORP
产品编码：1N4148
 
厂家：Comchip
产品编码：1N4148-G
 
反向恢复时间
反向恢复时间是衡量开关二极管性能的重要参数。开关二极管的开关时间由两部分组成，即从截至到导通的时间叫开通时间，从导通变为截至的时间叫反向恢复时间。这两部分时间共同组成了开关二极管的开关时间。为什么不以开关时间作为衡量参数，而是以反向恢复时间作为衡量参数？因为开关二极管的反向恢复时间远大于其开通时间。开通时间可以忽略不计。
1 VISHAY
测量条件：I_F=10mA,V_R=6V,R_L=100Ω,i_R=1mA
反向恢复时间：4ns
 
2 NXP
测量条件：I_F=10mA,V_R=6V,R_L=100Ω,i_R=1mA
反向恢复时间：4ns
 
3 HY
测量条件：I_F=10mA,V_R=6V,R_L=100Ω,i_R=1mA
反向恢复时间：4ns
4 DIOTEC ELECTRONICS CORP
测量条件：I_F=10mA,V_R=6V,R_L=100Ω,i_R=1mA
反向恢复时间：4ns
 
5 Comchip
测量条件：I_F=10mA,V_R=6V,R_L=100Ω,i_R=1mA
反向恢复时间：4ns
 
反向击穿电压
当开关二极管的反向电压达到其所能承受的极限时，开关二极管将失去反向截止能力，这样的反向电压叫做反向击穿电压。
1 VISHAY
测量条件：I_R=100uA,t_p/T=0.01,T_P=0.3ms
反向击穿电压：100V
 
2 NXP
规格书无标注
 
3 HY
规格书无标注
 
4 DIOTEC ELECTRONICS CORP
测量条件：IR=100uA,tp/T=0.01,TP=0.3ms
反向击穿电压：100V
 
5 Comchip
规格书无标注
 
最高反向工作电压
最高反向工作电压是开关二极管正常工作的最大反向电压，超过该电压时，二极管随时会被击穿。
1 VISHAY
最高反向工作电压：100V
 
2 NXP
最高反向工作电压：100V
 
3 HY
最高反向工作电压：100V
 
4 DIOTEC ELECTRONICS CORP
最高反向工作电压：75V
 
5 Comchip
最高反向工作电压：100V
 
正向持续电流
正向持续电流是开关二极管连续工作时，其在规定的外部环境中，所能允许的脉冲半波电流的平均值。
1 VISHAY
正向持续电流：300mA
 
2 NXP
正向持续电流：200mA
 
3 HY
正向持续电流：150mA
 
4 DIOTEC ELECTRONICS CORP
正向持续电流：150mA
 
5 Comchip
正向持续电流：150mA
 
结电容
PN结之间存在电容属性。当在低频时PN结的特性可以完成正常的开关动作，当交流电频率较高时，由于PN结电容的作用将使PN结失去单向导电能力。
1 VISHAY
条件：V_R=0V，f=1MHz，V_HF=50mV
电容：4pF
 
2 NXP
条件：V_R=0V，f=1MHz，V_HF=50mV
电容：4pF
 
3 HY
条件：V_R=0V，f=1MHz，V_HF=50mV
电容：4pF
 
4 DIOTEC ELECTRONICS CORP
条件：V_R=0V，f=1MHz，V_HF=50mV
电容：4pF
 
5 Comchip
规格书无标注
 
综合性能示意图
根据上述统计的性能数据，将结果用雷达图的形式展现出来，该图表只是一个示意图，并不绝对，仅作参考。图中覆盖的区域面积越大则表示更好。