最新上架
更多- 中科芯32位MCU单片机CKS32L052C6T6与STM32L052C6T6的性能与功能分析
- 国产32位微控制器中科芯CKS32F103CBU6兼容替代STM32F103CBU6全解析
- 中科芯CKS32L053系列在硬件引脚和软件设计上与STM32L053系列高度兼容
- 国巨RT0402BR系列薄膜电阻广泛应用于各种电子设备
- 国巨小尺寸 RT0402CR 系列薄膜精密电阻选型资料/型号推荐/免费样品
- 基于中科芯CKS32F103VBT6开发的热敏打印机，全兼容替代STM32F103VBT6
- 友顺USR3651S 开关电源IC替代 VIPER12A，助力电源设计升级
- 光颉ARG系列通用薄膜电阻器：高精度与高性价比的电子设计理想之选
- YAGEO国巨 RT0603CR 系列薄膜精密电阻规格资料/型号推荐-国巨一级代理商
- UTC 友顺 U74HC74：精准替代 NXP 74HC74D 的高性能双路 D 型触发器解决方案
国巨君耀ESD静电保护期间LBD52A24L01和LBT23C24L02的异同与选型建议
国巨ESD静电保护器件代理商-南山电子（YAGEO原厂授权）通过YAGEO官网提供的产品参数表，整理了LBD52A24L01和LBT23C24L02两款静电保护器件型号参数表了解到，它们都属于高可靠低电容静电保护元件（ESD/TVS阵列），以下是二者的核心异同点分析：
我们都知道ESD（Electrostatic Discharge Protection Device）即静电保护器件，也称TVS阵列，主要用于防止电子设备因静电放电或电压瞬变导致的损坏，其核心功能包括快速钳位（在纳秒级时间内将异常高压导向地线，保护敏感电路。）；避免对高速信号（如USB 3.0、HDMI）造成衰减的低电容设计，典型结电容可低至1pF以下。另外国巨ESD器件支持3.3V至24V等多种反向工作电压（Vrwm），适配不同电路需求。
一、共同特性
1. 应用领域 ：
均用于静电保护场景，符合IEC61000-4-2标准，支持15kV空气放电和8kV接触放电。
2. 基础参数
反向工作电压（Vrwm）：均为24V
漏电流（Ir）：低至1μA
钳位性能：均具备快速响应能力，适合高速数据接口保护。
二、参数差异：
| 封装类型 | 特点 | 代表型号 |
| SOD523 | 微型化设计（1.25×0.8mm），适合高密度PCB | LBD52A24L011 |
| SOT-23 | 通用型贴片封装，易焊接维护 | LBT23C24L021 |
| SOIC-08/16 | 多通道集成，支持高功率保护 | LES08A05L05 |
三、选型建议
1. 高频场景优先选择LBT23C24L02
其12pF结电容更适合USB 3.0、HDMI等高速接口，可减少信号衰减。
2. 空间受限场景考虑LBD52A24L01
SOD523封装体积更小（约1.25×0.8mm），适用于高密度PCB布局。
3. 电压裕度需求
LBT23C24L02的击穿电压略高（26.7V），在24V系统中可能提供更宽松的容错范围。
四、注意事项
- 两者均未明确标注脉冲功率参数，建议通过YAGEO官网下载完整数据手册确认极限耐受能力。
- 若需更高功率保护（如500W级别），可参考同系列中LES08A05L05等型号。
如需完整参数对比或应用案例，可咨询国巨/君耀代理商（原厂授权）南山电子，为您提供完整技术文档和两款ESD器件的样品。
