解决方案

新洁能N沟道功率MOSFET NCE4009S，满足充电器、适配器等需求

发布时间：2024-11-21 品牌：新洁能(NCE) 浏览量：902

随着手机快充技术迅速发展，功率器件MOSFET，作为充电器、适配器等智能终端配套产品核心元器件之一，同样也迎来了发展契机。今天给大家推荐一款新洁能N沟道功率MOSFET NCE4009S，满足充电器、适配器等需求。这款新洁能品牌的N沟道MOSFET，工作电压为40V，连续漏极电流9A。具有较低的导通电阻，封装采用SOP8，适用于紧凑空间的电路设计，广泛应用于高性能电源和功率管理系统，可提供可靠的电流开关控制。

NCE4009S主要参数:

漏源电压（Vds）：40V
导通电阻（RDS（on））：＜16mΩ @ VGS=10V；＜24mΩ @ VGS=4.5V
连续漏极电流（Id）：9A
脉冲漏极电流（IDM）：40A
功率（Pd）：2W
工作温度范围：-55℃~+150℃

NCE4009S典型的电气和热特性:

NCE4009S产品优势：

N沟道增强型：作为N沟道增强型场效应管，NCE4009S具有较低的导通电阻和较高的输入阻抗，这使得它在开关应用中表现出色，能够有效降低功耗并提高效率。
导通电阻低：NCE4009S具有较低的导通电阻，导通电阻是芯片在导通状态下漏极和源极之间的电阻值，较低的导通电阻意味着在导通时的能量损耗较小，从而能够更高效地传输电流。
高电压和高电流能力：该场效应管具有40V的耐压能力和9A的电流承载能力，使其能够在高压和高电流环境下稳定工作，适合用于功率较大的电路中。
小体积封装：NCE4009S采用SOP-8封装，这种封装形式便于安装和焊接，同时占用空间较小，适合在空间受限的电路设计中使用。