最新上架
更多- 中科芯32位MCU单片机CKS32L052C6T6与STM32L052C6T6的性能与功能分析
- 国产32位微控制器中科芯CKS32F103CBU6兼容替代STM32F103CBU6全解析
- 中科芯CKS32L053系列在硬件引脚和软件设计上与STM32L053系列高度兼容
- 国巨RT0402BR系列薄膜电阻广泛应用于各种电子设备
- 国巨小尺寸 RT0402CR 系列薄膜精密电阻选型资料/型号推荐/免费样品
- 基于中科芯CKS32F103VBT6开发的热敏打印机,全兼容替代STM32F103VBT6
- 友顺USR3651S 开关电源IC替代 VIPER12A,助力电源设计升级
- 光颉ARG系列通用薄膜电阻器:高精度与高性价比的电子设计理想之选
- YAGEO国巨 RT0603CR 系列薄膜精密电阻规格资料/型号推荐-国巨一级代理商
- UTC 友顺 U74HC74:精准替代 NXP 74HC74D 的高性能双路 D 型触发器解决方案
汽车电池管理系统 (BMS) 用纯国产MOS管型号推荐
电池管理系统 (BMS) 是一种电子控制电路,可监控并调节电池的充放电,并对整个系统进行调节。随着高功率密度的锂电池在日常生活中日益普及,随之配套的锂电池管理系统技术BMS也运营而生。BMS用于控制锂电池的充放电情况,控制充放电回路工作在适当的条件下,并且在锂电池面临失控的时候及时切断锂电池的通路,保证电池的安全性。
新洁能针对电池管理系统的安全及可靠需求,开发出具有良好的抗电流冲击能力的产品,可以充分保证被控电池周边人员的安全,极大的提高应用的可靠性也更能保证整个电池管理系统的正常运行。例如Super Trench MOSFET 系列产品采用了具有电荷平衡功能的屏蔽栅深沟槽技术,降低了器件的特征导通电阻(Rsp)和栅极电荷(Qg),全面提升了产品的导通电阻温度特性,有效控制了器件导通电阻随温度增加而上升的幅度,从而显著增强器件高温下的电流能力和抗冲击特性。产品将更适宜于高温严酷环境下的应用。
线路图
推荐产品
充放电MOS:
N沟道MOEFET:VDS=30V-150V Ron@10V(max)<11mΩ
N沟道二代MOSFET & N沟道一代MOSFET:VDS=30V-150V Ron@10V(max)<10mΩ
均衡MOS:
P沟道MOSFET:VDS=-20V Ron@4.5V(max)=40mΩ-70mΩ VDS=-30V Ron@4.5V(max)=35mΩ-95mΩ
N沟道MOEFET:VDS=20V Ron@4.5V(max)=15mΩ-45mΩ VDS=30V Ron@4.5V(max)=15mΩ-75mΩ
南山电子是新洁能以上MOS管授权代理商,如果您需要以上各型号MOS管现货样品,可以在南山电子官网,通过在线客服等方式索取。