最新上架
更多- 风华高科叠层磁珠CBG、CBW、CBU等系列详解及产品选型指南
- 风华高科片式NTC热敏电阻：小巧精准，赋能多领域温度管理
- 温控器用RTC推荐爱普生RX8130CE，RX8010SJ，低功耗，常温频率精度5±23ppm
- 长晶科技MMDT5451——160V互补NPN+PNP小信号三极管中文资料/现货价格
- 风华高科CT4、CC4系列径向引线多层陶瓷电容器适用于各类工业标准尺寸的自动化生产线
- 风华高科大一体成型电感竞品对比与应用领域
- 风华高科高可靠性片式NTC热敏电阻CMK系列创新产品结构与可靠性
- 长晶代理商南山电子：汽车照明元器件方案|样品及技术支持
- 风华高科高频磁珠与普通磁珠的对比、应用与选型指南
- 中科芯MCU芯片CKS32F103CB如何搞定散热风机无感FOC控制？
上海贝岭IGBT与MOSFET高效能功率器件产品介绍
在工业自动化、新能源应用和高效电源系统蓬勃发展的今天，对功率半导体器件的性能、效率和可靠性提出了前所未有的高要求。上海贝岭作为国内领先的模拟及功率半导体供应商，始终致力于核心工艺技术的创新与突破，持续迭代升级IGBT和MOSFET技术平台，通过精密的芯片结构设计、优化的制造工艺和先进的封装方案，打造了一系列高性能、高可靠性的功率器件产品。这些产品旨在满足严苛应用环境下的高效率运行和长期稳定需求，为客户提供更具竞争力的系统级解决方案。以下是上海贝岭IGBT与MOSFET高效能功率器件产品介绍：
650V 系列 IGBT 产品：
-
10A~75A系列
- 基于贝岭第6代Trench FS IGBT工艺平台，采用3μm pitch微沟槽工艺。
- 正面通过精密调控 “Gate沟槽 + dummy沟槽” 比例，背面应用优化的H FS工艺，实现优异的 Vcesat-Eoff 折衷性能 与强大的短路能力。
- 终端采用优化的“FLR+场板技术”，确保最高工作结温175℃ 下的可靠性，并通过 HV-H3TRB 加严测试。
-
80A~200A系列
- 升级至第7代Trench FS IGBT工艺平台，采用更精细的 1.6μm pitch微沟槽工艺。
- 正面通过优化 “Gate沟槽 + E短接沟槽 + dummy沟槽” 三种沟槽设计比例，结合优化的H FS工艺，实现足够低的Vcesat、良好的开关损耗及满足电机驱动需求的短路能力。
- 终端采用优化的“VLD技术”，提升芯片利用率的同时，保障175℃结温工作能力及通过 HV-H3TRB 可靠性验证。
40V SGT MOS 产品：
- 基于最新的低压SGT工艺平台，采用红磷衬底及 HDP（高密度等离子体）工艺。红磷衬底电阻率显著低于传统材料，HDP工艺实现高密度元胞，有效降低沟道电阻与整体导通电阻(Rdson)。
- 高密度设计下晶圆仍可安全减薄（非taiko），进一步降低衬底电阻。
-
封装 (PDFN5*6)
- 常规铝带键合：封装电阻优于铝丝，成本效益高。
- 铜片Clip Bonding：大幅降低封装电阻，提升过流能力。
80~150V SGT MOS 产品：
- 基于最新的中高压SGT工艺平台，采用双层外延(EPI) 设计优化电场分布，在保持击穿电压(BV) 的同时降低导通电阻(Rdson)。
-
80~100V系列
- 精密工艺实现高密度元胞与晶圆减薄（非taiko），降低衬底电阻。
-
150V系列
- 应用 HDP工艺 实现高密度元胞，有效降低沟道电阻与栅电荷(Qg)。
南山电子是上海贝岭公司授权代理商，欢迎咨询选购上海贝岭上海贝岭IGBT与MOSFET系列产品，如需产品详细的规格书或最新报价，请咨询南山半导体官方网站在线客服。
